ON Semiconductor−FET 系列是全新高电压超结 MOSFET ，利用电荷平衡技术实现卓越的低接通电阻和更低栅极电荷性能。此 Advanced 技术专为有效减少传导损耗而设计，提供卓越的切换性能，并可耐受极端 dv/dt 速率。
低有效输出电容
通过 100% 雪崩测试
无铅−Ω
符合 RoHS
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-220F |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.25. Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
