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Infineon IPB180P04P4L02ATMA1 MOSFET

订 货 号:IPB180P04P4L02ATMA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon IPB180P04P4L02ATMA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon OptiMOS™P P通道功率MOSFET

Infineon OptiMOS™ P通道功率MOSFET设计用于提供增强功能,以满足高质量性能要求。功能包括超低开关损耗,通态电阻,雪崩额定值以及通过AEC认证的汽车解决方案。应用包括DC-DC,电机控制,汽车和eMobility。

增强模式
耐雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合RoHS标准
标准封装
OptiMOS™P通道系列:温度范围为-55°C至+175°C

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 180 A
最大漏源电压 40 V
封装类型 D2PAK (TO-263)
安装类型 表面贴装
引脚数目 7
最大漏源电阻值 3.9 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.2V
最小栅阈值电压 1.2V
最大功率耗散 150 W
晶体管配置
最大栅源电压 -16 V、+16 V
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 220 nC @ 10 V
长度 10mm
宽度 9.25mm
晶体管材料 Si
最高工作温度 +175 °C
暂无

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