Vishay 表面安装 N 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品，漏极源电压为 80V ，最大栅极源电压为 20V。在 10V 的栅极源电压下，漏极 - 源电阻为 16.5mohm。它具有 1.56W 的功耗和 6.7A 的连续漏极电流。此 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V。MOSFET 经优化可降低开关和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
•适配器开关
•负载开关
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 9.5 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | SO |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.022 O |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
