汽车功率 MOSFET 采用 3 x 3 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。支持 MOSFET 和 PPAP，适用于汽车应用。
体积小巧 (5x6 mm)
紧凑设计
低 RDS（接通）
最大限度地减少传导损耗
低 QG 和电容
最大限度地减少驱动器损耗
NVMFS5C410NLWF − 可润侧翼选件
增强型光学检验
支持 PPAP
应用
反向器电池保护
开关电源
电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等）
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 74 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | DFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 8.8 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 3.1 W |
| 晶体管配置 | 双路 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 5.1mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 32 nC @ 10 V |
| 长度 | 6.1mm |
