英飞凌的 cool mos P6 超级结 mosfet 系列设计用于实现更高的系统效率、同时易于设计。 cool mos P6 消除了专注于提供终极性能的技术与专注于易用性的技术之间的差距。
降低栅极电荷（ q g ）
更高的 v
良好的主体二极管坚固性
优化的集成 r g
dv/dt 从 50V 提高到 nds/ ns
超酷 mos ™质量，具有 12 年以上的制造经验 超级连接技术
提高效率、尤其是在轻负载条件下
由于更早的关闭、在软切换应用中效率更高
适用于硬切换和软切换拓扑
优化了效率和易用性与良好之间的平衡 切换行为的可控性
高坚固性和更高的效率
卓越的质量和可靠性
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 109 a |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | Pg 至 247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.099 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4..5V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
