HEXFET® 功率 MOSFET 的这一条纹平面设计最新加工工艺在单位硅面积实现极低导通电阻。此 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 175°C 结点工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些优势相结合，形成这款极其高效且可靠的设备，适合用于各种应用。
优点：
低 RDS（接通）
动态 dv/dt 额定值
快速切换
175°C 工作温度
目标应用：
消费全桥
全桥
推挽式
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 130 A |
| 最大漏源电压 | 75 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 7.8 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 330 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 160 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.67mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 4.83mm |
