DirectFET ®2 功率MOSFET 提供卓越的功率密度、双面冷却以及低寄生电感和电阻，采用坚固符合 AEC-Q101 的封装，适用于汽车应用。 DirectFET®2 MOSFET 是久经考验的 DirectFET 封装技术的可靠性和性能与 Infineon 的最新通道硅工艺的完美组合，在整体系统级尺寸、成本和效率方面均有改进。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 18 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | DirectFET SB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 7 |
| 最大漏源电阻值 | 56 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 45 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 6.35mm |
| 宽度 | 5.05mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
