hex场 ® 功率 Infineon 设计利用最新的处理技术，可在每个硅片区域实现低接通电阻。此优势结合了 ex场 效应功率式高功率器件闻名的快速开关速度和耐震器件设计、为设计人员提供了一个极其高效和可靠的器件、适用于汽车和各种其他应用。
先进的平面技术
双 n 沟道 mosfet 低接通电阻
逻辑电平栅极驱动
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4.7 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SO-8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.16 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
