设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关
独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | MLP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 240 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 1.4 W |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 2mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 2mm |
