International Rectifier 的 Infineon 设计采用先进 Advanced 处理技术，可在每个硅片区域实现极低的接通电阻。此优势结合了 ex场 效应功率式高功率器件闻名的快速开关速度和耐震设备设计、为设计人员提供了极其高效和可靠的器件、适用于各种应用。
先进的工艺技术
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩等级
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 16 A |
| 最大漏源电压 | 110 V |
| 封装类型 | D-pak 至 252AA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.000115 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
