英飞凌公司最新的 40 v 强大的 irfet 功率 mosfet 器件针对高电流和低 rds （接通）进行了优化，使其成为高电流电池供电应用的理想解决方案。它采用工业标准封装、提供设计灵活性。它能够为嘈杂环境中的假开启提供抗扰性。
它具有 175°c 工作温度
高电流载流量
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 360 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | Pg － TO263 － 7 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 7 |
| 最大漏源电阻值 | 0.00065 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
