ROHM 双 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 可支持 60V 耐受电压。它设计用于 24V 输入设备，如工厂自动化设备和安装在基站上的电动机。通过结合最佳 N 沟道 + P 沟道，可减少设计工作量。它还有助于降低设备的功耗。
低接通电阻
小型表面安装封装
无铅引线电镀
符合 RoHS
无卤素
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 3 (N 通道) A ， 3.5 (P 通道) A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TSMT |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.09 (N 通道) O ， 0.091 (P 通道) O |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
