Infineon OptiMOS 功率 MOSFET IPTG011N08NM5 采用改进的直引线封装，带鸥翼引线。与 D2PAK 7 引脚相比， TOLG 具有与无铅封装兼容的外形尺寸，可实现出色的电气性能，板空间减少 ∼60%。OptiMOS 5-80 V 的这款新封装提供非常低的 RDS (接通) ，经优化可处理 300 A 的高电流鸥翼引线的灵活性，采用 TOLG 封装的 OptiMOS 在 AL-IMS 板上显示了出色的焊接接头的可靠性。这会使板上的热循环增加 2 倍
高效率和低 EMI
高性能
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 408 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | PG-HSOG-8-1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0011 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.3V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
