DN2625 是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。
其他特点：极低的栅极阈值电压
设计为源极驱动
低切换损耗
低有效输出电容
设计用于感性负载
当由 MD2130 驱动时，可完美匹配低二次谐波
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 1.1 A |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 封装类型 | TO-252 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 Ω |
| 通道模式 | 消耗 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 宽度 | 6.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.04 nC @ 1.5 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 长度 | 6.6mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
