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Nexperia PMV50ENEAR MOSFET

订 货 号:PMV50ENEAR      品牌:PMV

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公司基本资料信息







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Nexperia PMV50ENEAR MOSFET
产品详细信息

30V,N 沟道 Trench MOSFET,N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,采用 Trench MOSFET 技术。

逻辑电平兼容
超快切换
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护:> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 3.9 A
最大漏源电压 30 V
封装类型 SOT23, TO-236AB
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 69 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.5V
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 3.9 W
晶体管配置
最大栅源电压 20 V
每片芯片元件数目 3
宽度 1.4mm
最高工作温度 +150 °C
长度 3mm
典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 10 V
暂无

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