汽车级 MOSFET，世界上最大的符合 AEC-Q101 标准的功率 MOSFET 产品组合，对汽车系统要求和专注技术能力的深入了解，使 Nexperia 能够在广泛的应用中提供功率半导体解决方案。从驱动简单的车灯到发动机、车身或底盘应用中功率控制的复杂需求，Nexperia 功率半导体可以解决许多汽车系统的功率问题。
符合 AEC-Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175°C，适用于对热量要求苛刻的环境
20 V，P 通道 Trench MOSFET，P 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
超快切换
增强型功耗能力：Ptot = 890 mW
静电放电 (ESD) 保护 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | -3.3 A |
| 最大漏源电压 | -20 V |
| 封装类型 | SOT23，TO-236AB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 125 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | -1.25V |
| 最小栅阈值电压 | -0.75V |
| 最大功率耗散 | 6250 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 12 V |
| 每片芯片元件数目 | 3 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 3mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5 nC @ 10 V |
| 宽度 | 1.4mm |
