Taiwan Semiconductor 60V ， 8A ， 3 引脚， N 通道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强通道模式。它通常用于高侧直流 / 直流转换，笔记本电脑，服务器应用。
先进的沟道工艺技术
高密度电池设计，提供超低接通电阻
符合 RoHS
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 2.5W
栅极阈值电压范围介于 1V-3V 之间
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 43 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10.5 nC @ 4.5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 5mm |
