Toshiba TK090Z65Z,S1F(O MOSFET
产品详细信息
Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速切换特性和较低的电容。它主要用于开关电源。
低漏 - 源导通电阻 0.075 ?
存储温度 -55 至 150°c
| 属性 |
数值 |
| 通道类型 |
N |
| 最大连续漏极电流 |
30 A |
| 最大漏源电压 |
650 V |
| 封装类型 |
｛ f1 to ｛ f1 -247 ｝ ｛ f1 4L （ t ｝ |
| 引脚数目 |
4 |
| 最大漏源电阻值 |
0.09. Ω |
| 通道模式 |
增强 |
| 最大栅阈值电压 |
4V |
| 每片芯片元件数目 |
1 |
| 晶体管材料 |
硅 |
