20 V，N 沟道 Trench MOSFET，N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
低阈值电压
超快切换
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护：> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 6.3 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT23, TO-236AB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 34 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.25V |
| 最小栅阈值电压 | 0.75V |
| 最大功率耗散 | 6.94 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 12 V |
| 每片芯片元件数目 | 3 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 1.4mm |
| 长度 | 3mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.9 nc @ 4 v |
