Infineon HSOF-8 表面安装 N 通道 MOSFET 是一款新型老化产品、在 10V 栅源电压下具有 1.5mohm 的漏极源电阻。MOSFET 具有 300A 的连续漏极电流。它的最大栅源电压为 20V 、漏源电压为 100V 。它的最大功耗为 375W 。 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V 。它经过优化、可降低开关和传导损耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。
• 100% 雪崩测试
•出色的栅电荷 x RDS （接通）产品（ FOM ）
• 无卤素
•适用于高切换频率
•无铅 (Pb) 电镀
•工作温度范围在 -55°C 和 175°C 之间
•针对同步整流进行了优化
•输出电容降低高达 44%
• RDS （接通）降低多达 44%
•极低接通电阻 RDS （接通）
•适配器
•轻型电动车
•低电压驱动
•服务器电源
• 太阳能
• 电信
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC61249 - 2-21
• JEDEC
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 300 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | HSOF-8. |
| 安装类型 | 表面安装器件 |
| 引脚数目 | 8 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 2 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.8V |
| 最小栅阈值电压 | 2.2V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 长度 | 10.1mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 10.58mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 169 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
