Infineon Optimos 5 功率 MOSFET 是 N 沟道 MOSFET，具有非常低的导通电阻和卓越的热阻。此设备不含 Pb（铅）和卤素。它采用表面安装、PG-HSOF-8 封装。
漏极至源极电压（Vdss）是 150 V
25°C 时连续漏极电流（Id）是 21 A（Ta），190 A（Tc）
驱动电压（最大 Rds 接通，最小 Rds 接通）是 8 V 和 10 V
工作温度范围为 -55°C 至 175°C（TJ）
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 190 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | PG-HSOF-8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
