the Infineon coolmos ™ C7 金色超结 mosfet 系列（ G7 ）将 600V coolmos ™ C7 金色技术的改进优势结合在一起， 4pin kelvin 源容量和 to 无铅（ toll ）封装改进的热特性、为高达 3kW 的功率因数校正（ pfc ）等高电流硬切换拓扑以及高端 llc 等谐振电路提供了可能的 smd 解决方案。
提供杰出的 fom r ds （ on ） xe oss 和 r ds （ on ） xq
在最小的占地面积内实现杰出的 r ds （ on
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 75 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | 收费（ hsof － 8 ） |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 28 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
