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Infineon IPT015N10N5ATMA1 MOSFET

订 货 号:IPT015N10N5ATMA1      品牌:IPT

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Infineon IPT015N10N5ATMA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon MOSFET

Infineon HSOF-8 表面安装 N 通道 MOSFET 是一款新型老化产品、在 10V 栅源电压下具有 1.5mohm 的漏极源电阻。MOSFET 具有 300A 的连续漏极电流。它的最大栅源电压为 20V 、漏源电压为 100V 。它的最大功耗为 375W 。 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V 。它经过优化、可降低开关和传导损耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。

特点和优势

• 100% 雪崩测试
•出色的栅电荷 x RDS (接通)产品( FOM )
• 无卤素
•适用于高切换频率
•无铅 (Pb) 电镀
•工作温度范围在 -55°C 和 175°C 之间
•针对同步整流进行了优化
•输出电容降低高达 44%
• RDS (接通)降低多达 44%
•极低接通电阻 RDS (接通)

应用

•适配器
•轻型电动车
•低电压驱动
•服务器电源
• 太阳能
• 电信

认证

• ANSI/ESD S20.20 : 2014
• BS EN 61340-5-1 : 2007
• IEC61249 - 2-21
• JEDEC


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 300 A
最大漏源电压 100 V
封装类型 HSOF
安装类型 表面贴装
引脚数目 8 + Tab
最大漏源电阻值 2 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3.8V
最小栅阈值电压 2.2V
最大功率耗散 375 W
晶体管配置
最大栅源电压 20 V
宽度 10.58mm
每片芯片元件数目 1
长度 10.1mm
最高工作温度 +175 °C
典型栅极电荷@Vgs 169 nC @ 10 V
暂无

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