为您的便携式设计提供开关解决方案。多种高达 20 V 的单双 N 通道 MOSFET 可供选择。由于我们值得信赖的 TrenchMOS 和封装技术而具有出色的可靠性。易于使用，我们的低电压 MOSFET 专门设计用于满足具有低驱动电压的便携式应用的要求。
N 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
低阈值电压
超快切换
增强型功耗能力为 1000 mW
目标应用
LED 驱动器
电源管理
低侧负载开关
开关电路
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 5.4 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | TO-236AB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 12 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 1.4mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| 长度 | 3mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
