Microchip TN5325 系列低阈值增强型 (常闭) 晶体管采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。
最大 2V 的低阈值
高输入阻抗和高增益
上升时间为 15 ns
关闭延时时间为 25 ns
下降时间为 25 ns
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 150 mA |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 封装类型 | TO-92 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 晶体管材料 | 硅 |
