Infineon Optimos 5 功率 MOSFET 是 N 沟道 MOSFET，具有非常低的导通电阻和卓越的热阻。此设备不含 Pb（铅）和卤素。它采用表面安装、PG-HSOF-8 封装。

Vds（漏极至源极电压）为 150 V
Rds（最大接通）为 5.4 毫欧姆，ID 是 143 A
Qdss 和 Qg 值分别为 155 nC 和 55 nC