此 Infineon 600V cool mos G7 sj mosfet 结合了 600V cool mos ™ C7 金色技术的优点， 4pin kelvin 源容量和 to 无铅（ toll ）封装改进的热特性、可为高电流硬切换拓扑提供可能的 smd 解决方案、如功率因数校正（ pfc ）
它在最小的占地面积内实现杰出的 r ds （ on
它降低了生产成本
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 23 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | 收费（ hsof － 8 ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.102. Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
