1.5 V 驱动
低接通电阻 Q1 N 沟道：Ron = 1.52Ω（最大值）(@VGS = 1.5 V)
Ron = 1.14Ω（最大值）(@VGS = 1.8 V)
Ron = 0.85Ω（最大值）(@VGS = 2.5 V)
Ron = 0.66Ω（最大值）(@VGS = 4.5 V)
Ron = 0.63Ω（最大值）(@VGS = 5.0 V)
Q2 P 沟道：Ron = 3.60Ω（最大值）(@VGS = -1.5 V)
Ron = 2.70Ω（最大值）(@VGS = -1.8 V)
Ron = 1.60Ω（最大值）(@VGS = -2.8 V)
Ron = 1.31Ω（最大值）(@VGS = -4.5 V)
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 500 mA |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-563 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 1.52 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最小栅阈值电压 | 0.35V |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大栅源电压 | ±10 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.23 nC @ 4 V |
| 长度 | 1.2mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 宽度 | 1.6mm |
