体积小（ 8 x 8 毫米），设计紧凑
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
典型应用
电动工具、电池操作的真空装置
UAV/DRONES ，材料处理
BMS/ 存储、家庭自动化
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 554.5 a. |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | Dfnw |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 660 μΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 245.4 瓦 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 126 nc @ 4.5 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 8.1mm |
| 宽度 | 8mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
