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Fairchild Semiconductor FQB22P10TM_F085 MOSFET

订 货 号:FQB22P10TM_F085      品牌:IRC

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Fairchild Semiconductor FQB22P10TM_F085 MOSFET
产品详细信息

汽车 P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 15.6 A
最大漏源电压 100 V
封装类型 D2PAK (TO-263)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 125 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 125 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
宽度 9.2mm
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +175 °C
晶体管材料 Si
典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V
长度 9.9mm
暂无

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