Microchip DN2625 是低阈值消耗模式（常开）MOSFET 晶体管，采用高级垂直 DMOS 结构。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。
低栅极阈值电压
设计用于电源驱动
低切换损耗
低有效输出电容
设计用于电感性负载
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 1.1 A |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 封装类型 | DFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 Ω |
| 通道模式 | 消耗 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.04 nC @ 1.5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 5.1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 5.1mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
