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Fairchild Semiconductor FDP085N10A_F102 MOSFET

订 货 号:FDP085N10A_F102      品牌:IRC

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Fairchild Semiconductor FDP085N10A_F102 MOSFET
产品详细信息

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 96 A
最大漏源电压 100 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 8.5 mΩ
通道模式 增强
最大功率耗散 188 W
最大栅源电压 -20 V、+20 V
长度 10.36mm
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +175 °C
宽度 4.672mm
典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V
暂无

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