Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。
高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒定电流源
电源电路
电信
DN3135 是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 非常适合各种需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 72 mA |
| 最大漏源电压 | 350 V |
| 封装类型 | SOT |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 35 Ω |
| 通道模式 | 消耗 |
| 最大功率耗散 | 360 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -3.5 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 3.04mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 1.4mm |
