HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
快速本质整流器二极管
低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 70 A |
最大漏源电压 | 200 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 40 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 6.5V |
最大功率耗散 | 690 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
长度 | 16.26mm |
最高工作温度 | +150 °C |
宽度 | 5.3mm |
典型栅极电荷@Vgs | 67 nC @ 10 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |