IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 170 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 9 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 5V |
最大功率耗散 | 714 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
宽度 | 5.3mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
长度 | 16.26mm |
晶体管材料 | Si |
典型栅极电荷@Vgs | 198 nC @ 10 V |
最高工作温度 | +175 °C |