与前几代的功率MOSFET 相比, IXYS X2 类 HiPerFET 功率MOSFET 系列显著降低电阻和栅极电荷,从而降低了损耗,提高了操作效率。这些坚固耐用的器件包含增强型高速固有二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。X2 类功率MOSFET可采用多种行业标准封装,包括隔离型,在 650V 时额定电流高达 120A。典型应用包括直流 - 直流转换器,交流和直流电动机驱动器,开关模式和谐振模式电源,直流截波器,太阳能逆变器,温度和照明控制。
非常低的 RDS (接通) 和 QG (栅极电荷)
快速固有整流器二极管
低固有栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 22 A |
最大漏源电压 | 650 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 145 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 5V |
最小栅阈值电压 | 2.7V |
最大功率耗散 | 390 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
宽度 | 21.45mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
长度 | 16.24mm |
最高工作温度 | +150 °C |
晶体管材料 | Si |
典型栅极电荷@Vgs | 37 nC @ 10 V |