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Infineon IPD80R1K0CEATMA1 MOSFET

订 货 号:IPD80R1K0CEATMA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon IPD80R1K0CEATMA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 5.7 A
最大漏源电压 800 V
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 950 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3.9V
最小栅阈值电压 2.1V
最大功率耗散 83 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
长度 6.73mm
宽度 6.22mm
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V
暂无

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