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onsemi FDL100N50F MOSFET

订 货 号:FDL100N50F      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FDL100N50F MOSFET
产品详细信息

UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 500 V
封装类型 TO-264
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 55 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 3V
最大功率耗散 2.5 kW
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 238 nC @ 10 V
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
宽度 5mm
长度 20mm
暂无

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