增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
NDC7001C 是一款采用半导体 DMOS 技术的双路 N 和 P 通道 MOSFET 。DMOS 可确保快速切换，可靠性和通态电阻。这些 MOSFET 采用 SOT-23 封装，有 6 个引脚。
* DMOS 技术
•高饱和度电流
•高密度电池设计
•铜导线框架，提供卓越的热和电气性能
•低电压
•低电流
•切换
•电源
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 340 mA，510 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 4 Ω, 10 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 960 mW |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 3mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.1 nC @ 10 V，1.6 nC @ 10 V |
| 宽度 | 1.7mm |
