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Infineon BSS83PH6327XTSA1 MOSFET

订 货 号:BSS83PH6327XTSA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon BSS83PH6327XTSA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 330 mA
最大漏源电压 60 V
封装类型 SOT-23
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 3 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2V
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 360 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 2.38 nC @ 10 V
长度 2.9mm
最高工作温度 +150 °C
宽度 1.3mm
晶体管材料 Si
暂无

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