新 C3M 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术
在整个工作温度范围内，漏-源击穿电压最小为 1000 V
新低阻抗封装，带驱动器源
漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙
高速切换，具有低输出电容
高阻塞电压，带低漏-源通态电阻
可耐受雪崩
快速固有二极管，带低反向恢复
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 35 A |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 90 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 最小栅阈值电压 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 113.5 W |
| 最大栅源电压 | -8 V、+19 V |
| 长度 | 16.13mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC @ 15 V，35 nC @ 4 V |
| 晶体管材料 | SiC |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5.21mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
