这些 N 通道小型信号 MOSFET 采用 ON Semiconductor 专有的高单元密度 DMOS 技术。这些产品旨在最大限度地降低电阻，同时提供坚固、可靠和快速的交换性能。它们可用于大多数需要高达 400mA 直流电的应用中，并可提供高达 2A 的脉冲电流这些产品特别适合低压低电流应用。
电压控制小信号开关
高饱和度电流能力
坚固且可靠
低 RDS 的高密度单元格设计（开）
应用
小型伺服马达控制
功率 MOSFET 闸极驱动器
分类切换应用
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-92 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 9 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 400 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 长度 | 5.2mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 4.19mm |
