2008年10月30日 — 全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司（纳斯达克全球精选市场交易代码：ISIL）今天宣布，推出新系列12V至5V同步整流降压式MOSFET驱动器，为英特尔 VR11.1系统提供业界最高的轻负载效率。

ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有的吸收能力，以及快速上升/下降时间，支持高达1MHz的开关频率。这将有助于实现非常高的总体效率。

ISL6622结合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N沟道MOSFET，其先进PWM协议可为先进微处理器提供完整的内核电压稳压器解决方案。

ISL6622有助于实现提高轻负载效率所需PSI模式期间的二极管仿真操作，并通过电感器电流为零时的检测实现非连续导通模式（DCM）。当检测到“零”时，低侧MOSFET处于关断状态，以防止出现吸收电流并消除伴随反向电流的功率损失。Intersil的栅极电压优化技术（GVOT）还可用于PSI模式；通过降低栅极驱动电压，可以显著降低控制轻负载条件下总功耗损失的开关损耗。这增加了ISL6622提供的总效率。

这些PWM控制器还具有自适应击穿保护功能，以防止高低侧MOSFET的同时导通。此外，这些控制器还集成了一个20kΩ的高侧栅极至源极电阻器，以防止由于高输入总线差动电压引起的自导通。

与VCC同时操作的过压保护可以降至POR阈值：PHASE节点可通过一个10kΩ电阻器连接至低侧MOSFET（LGATE）的栅极，以使转换器的输出电压保持接近低侧MOSFET栅极阈值。这种能力可以防止出现负载高侧MOSFET短路的情形。

该驱动器采用具有不同驱动电压的两种封装类型。ISL6622采用8引线SOIC封装，可在正常PWM模式期间将高侧和低侧栅极驱动至VCC；在PSI模式时将低侧栅极降至固定 V典型值。ISL采用10引线DFN封装，通过UVCC引脚可以将高侧栅极驱动到5V至12V；低侧栅极有一个可选的电阻器，可以在PSI模式下驱动V、和的典型电压。

今天推出的新系列MOSFET驱动器适用于采用英特尔处理器构建的各种服务器、工作站、台式机和游戏主板应用。同时，它们也是VRM应用的理想设计方案。

关于Intersil 电源管理产品系列

Intersil 公司是一家全球公认的电源管理解决方案领导厂商，提供可简化各种电源设计的丰富的产品组合。Intersil公司的电源管理IC系列涉及的范围极广，从诸如电荷泵等构建模块到高度集成、多输出和多相位PWM产品，以及四路电压热交换控制器。作为超过20亿片出货量的PWM 控制器 IC 领域领导厂商，Intersil公司可满足包括计算、通信、外设、显示、网络、电信、工业、仪器仪表和电池供电产品在内的多种应用的电源管理需求。

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关于Intersil

Intersil公司是设计和制造高性能模拟半导体元件的领先厂商。公司的产品可以满足多个业界增长最快的市场，如平板显示器、移动电话、其他手持设备和笔记本电脑。Intersil的产品系列具有电源管理功能和模拟信号处理功能，这些产品包括用于电池管理的IC、热交换和热插拔控制器、线性稳压器、电源排序器、监控IC、桥式驱动器、PWM控制器、开关型DC/DC稳压器和功率MOSFET驱动器；以及光存储激光二极管驱动器、DSL线路驱动器、视频和高性能运算放大器、数据转换器、接口IC、模拟开关和多路复用器、交叉点开关、VoIP器件；此外还有军事、航天和抗辐射应用的专用IC。

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