美国波特兰消息—随着日本宇宙航空研究开发机构发射SpriteSat卫星,MRAM技术已经向太空应用挺进。据瑞典Angstrom Aerospace公司宣布,其微机电系统磁强计将采用MRAM来替代日本研究的卫星上的SRAM以及闪存。

“MRAM替代了Angstrom为SpriteSat设计的模块中的闪存以及电池供电的SRAM,”位于斯德哥尔摩的瑞典皇家科技学院材料以及陀螺电子学专家、教授Johan Akerman说,“MRAM能够重新配置重要的程序以及卫星任务的不同级的路线分辨率,这就是它的重大益处。”

MRAM的构想在1990年提出,意在替代从RAM到硬盘的不同类型的存储器。因为它属于固体存储器,MRAM超过了硬盘的旋转机制。此外,因为每一个比特可以无限次地擦除和重写,MRAM超过了闪存,闪存只能以大块擦除和重写1百万次,然后将失效。MRAM还是非易失性存储器。

除了这些好处之外,MRAM还有待完善。因为在MRAM发展过程中存在的问题,即使最高密度的MRAM芯片,如飞思卡尔的MR2A16A只能以大约20美元的单位成本存储4Mb的数据,相比之下,价值5美元的闪存可以存储4Gb。对于像军事以及航天这样的利基应用,MRAM正开始替代其它类型的存储器。

Angstrom Aerospace正在其卫星子系统中独家采用MRAM。MRAM将存储程序数uyiji为现场可编程阵列存储配置比特。此外,MRAM具有比较方便的可重编程性,从而容许程序代码以及FPGA被由地面上传递至MRAM的新存储镜像进行重新配置。

Angstrom Aerospace的子系统将在2008年下半年由SpriteSat卫星发射升空,其中搭载的复杂磁强计将检测地球的磁场以及卫星的轨道。SpriteSat的整个任务就是在较高的大气层通过可见光效应来研究“Sprites”。

此外,位于英国的e2v'Technologies PLC宣布,它正在测试飞思卡尔半导体公司的MR2A16A MRAM,以便验证其是否符合-55度+125的军用温度规范。目前,飞思卡尔的MRAM工作温度在-40 至+105度之间。