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在中国深圳，我最近遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“你碰巧在你的设计中用过60V的负载开关吗？”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形尺寸晶体管(SOT)-23，漏源导通电阻R_DS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息，R_DS(ON)不到60mΩ，占位面积5mm × 0.8mm (1.2mm²) （参见图1），是专为诸如信息娱乐系统等空间受限的应用情况设计的。

图1：CSD18541F5l与网格阵列封装

相比您的那些家用电器采用的SOT-23 (6.75mm²) 封装（参见图2），新型MOSFET的尺寸约有其六分之一左右。它还意味着不仅R_DS(ON)降低，还实现了占位面积大幅减小的优点，面积比传统MOSFET减小了75%。

图2：传统SOT-23封装，旁边是CSD18541F5LGA封装

和这位工程师做了一些快速计算，我们的结论是如果每个电路板用10个元件，他就能节省大约55mm²占位面积——每个元件的节省量并不显著，通常被大多数工程师认为是事后才会想到的事。那么焊盘间距情况如何呢？幸运的是，这个微型LGA封装在设计中还考虑了业内客户的需求，对他们来说，似乎一致认为0.5mm是两个焊盘之间的首选最小间距。

如今，我在行业市场遇见的每个人，无论是生产电源、电池保护装置还是电动工具，几乎都对尺寸变小或性能提升（或两个特点兼具）的负载开关有些兴趣。

因此，如果您的工业设计需要使用不少的SOT-23或更大的负载开关，请考虑选择我们的新型CSD18541F5 MOSFET。相信我，您的PCB会在稍后感谢您。

其他信息

• 获取有关CSD18541F5 60-V N通道功率 MOSFET的详细信息。

• 下载设计综述，了解有关LGA封装的详细信息。

• 访问FemtoFET 登录页面，查询有关MOSFET系列的详细信息。

原文链接：

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/06/20/shrink-your-industrial-footprint-with-new-60v-femtofets