霍尔磁场传感器：为什么霍尔传感器一次磁场变化会有好多次输出

3144属于单极性霍尔开关集成电路，(由于原装进口的厂家已经停产，所以目前市场上的3144都是国产的.建议选用正规的大厂家产品使用.也可以选用S18霍尔型号来代替)
霍尔原理：
所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。当电流通过霍尔元件时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则霍尔元件两侧面会出现横向电位差（即称为霍尔电压），由于磁场的变化，于是霍尔元件发出脉冲信号传输给控制器来处理，从而实现测速测位置等传感器或开关作用。
所以说，需要有磁场的变化，才能有相应的霍尔脉冲信号输出，你使用了圆形的磁铁固定在点机轴，如果是四周都一样的磁场，那么就不会有输出变化，所以你应该选用一个高磁性的较小体积的磁铁（比如长方体的或扁平体）用N极或S极垂直于电机轴固定在电机上，由于你使用的是单极性的霍尔，那么你就用磁铁的一极朝向霍尔的正面感应区，那么等到电机轴上的磁铁转到霍尔放置的位置时，就会因为受到磁场变化，并切割磁力线，霍尔就会输出脉冲信号。
所有的霍尔都会随着温度的变化，霍尔的BOP和BRP的高斯值会出现不同程度的飘逸（俗称温飘）但是根据你的描述，估计你是用来测位置(相位传感器)或转速（转速传感器）的。那么你的温度环境应该不会太高，选用-40至85度的霍尔就可以了，价格相对便宜。如果超过85度环境就要用到-40到150的霍尔产品，价格会贵很多。

我遇到跟你一样的问题。没有示波器看波形，不清楚具体原因。说说我是怎么解决的。
我从某宝上买的模块，没有灵敏度调节。与Arduino控制器D2脚连接作外部中断源使用，每次小磁铁经过会输出三次脉冲，非常稳定。因此直接在外部中断处理函数中将三次触发作为一次就好。
要完美解决，可以看看带灵敏度调节电位器的霍尔模块如何。
希望有帮助

磁感应式传感器也称互感器，互感器利用电磁感应原理，即变化的磁场产生电场的原理。将两个线圈绕在同一个铁芯上，二次绕组感应出于一次绕组呈比例关系的电压或电流。因此，也有称互感原理或变压器原理。
霍尔传感器是利用霍尔效应制作的传感器。
当一个导体通过与外磁场垂直的电流时，在导体的与磁场及电流方向均垂直的方向上，会产生一个电势差。这个电势差与外磁场的磁感应强度及电流大小成正比，固定电流大小，电势差与外磁场的磁感应强度成正比。利用一次线圈产生外磁场，那么电势差与一次电流成正比，这就是霍尔传感器的原理。
从应用角度，两者相同之处在于都需要一次线圈产生磁场。
不同之处之一在于互感器需要变化的磁场，而霍尔传感器可以是恒定的磁场，因此，前者只能用于交流测试，而后者可以用于交流和直流测试。
不同之处之二在于互感器有铁芯，而霍尔传感器没有铁芯，前者对于频率来讲是非线性的，后者是线性的，因此前者适用的频段较窄，一般用于固定频段（如45~66Hz），后者频段较宽。
不同之处之三是互感器较多的用于电能计量，相位指标是测量用互感器的重要指标。而霍尔传感器较多的用于控制或简单的电压、电流独立测试，一般不控制相位指标，也不提供相位指标（如50Hz的相位误差指标）。

霍尔磁场传感器：什么是霍尔磁性传感器？

磁传感器是固态设备，它们变得越来越流行，因为它们可以用于许多不同类型的应用，例如感测位置，速度或定向运动。它们也是电子设计人员的一种流行的传感器选择，因为它们具有非接触式无磨损操作，低维护，坚固的设计以及密封的霍尔效应设备，不受振动，灰尘和水的影响，磁传感器的主要用途之一是用于感测位置，距离和速度的汽车系统。例如，曲柄轴的角度位置用于火花塞的点火角度，汽车座椅和用于安全气囊控制的座椅安全带的位置或用于防抱死制动系统的车轮速度检测（ABS）。
霍尔效应传感器提供线性或数字输出。线性（模拟）传感器的输出信号直接取自运算放大器的输出，输出电压与通过霍尔传感器的磁场成正比，线性或模拟传感器提供连续的电压输出，其随着强磁场而增加，并且随着弱磁场而减小。在线性输出霍尔效应传感器中，随着磁场强度的增加，放大器的输出信号也会增加，直到它开始饱和电源施加的限制。任何额外的磁场增加都不会对输出产生影响，但会使其更加饱和。
另一方面，数字输出传感器具有施密特触发器，内置滞后连接到运算放大器。当通过霍尔传感器的磁通量超过预设值时，器件的输出在其“关闭”状态之间快速切换到“接通”状态而没有任何类型的接触反弹。当传感器移入和移出磁场时，这种内置滞后消除了输出信号的任何振荡。然后数字输出传感器只有两种状态，“ON”和“OFF”。
有两种基本类型的数字霍尔效应传感器，双极和单极。双极传感器需要一个正磁场（南极）来操作它们，一个负磁场（北极）释放它们，而单极传感器只需要一个磁性南极来操作和释放它们进出磁场领域。
大多数霍尔效应器件不能直接切换大电气负载，因为它们的输出驱动能力非常小，大约10到20mA。对于大电流负载，将一个集电极开路（电流吸收）NPN晶体管添加到输出端，该晶体管在其饱和区域内作为NPN吸收开关工作，只要施加的磁通密度高于“ON”预设点，就会使输出端短接到地，输出开关晶体管可以是开放式发射极晶体管，开路集电极晶体管配置或两者都提供推挽输出型配置，其可以吸收足够的电流以直接驱动许多负载，包括继电器，电动机，LED和灯。
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霍尔磁场传感器：磁场检测霍尔元件

原标题：磁场检测霍尔元件

磁场检测霍尔元件

磁场使用无处不在，很多行业都需要使用磁场，特别是一些特殊行业对磁场的要求更为严格，而且磁场的大小、方向等必须非常精确。例如，一些制造业或一些实验室。因此，磁场的检测是非常重要的。检测磁场有几种方法。今天我们将介绍线性霍尔传感器在磁场检测中的应用。

用霍尔线性集成电路作探头检测磁场是目前许多企业采用的一种方法，根据所用霍尔集成电路的校准曲线和灵敏度系数进行测量是一种比较方便的方法。在测量之前，连接的电路需要通电一分钟以稳定状态。说到霍尔集成电路，第一个管脚接电源，第二个管脚接地，第三个管脚接高输入阻抗电压表。数值，可以从校准曲线中找到相应的磁感应强度，也可以用灵敏度系数计算出被测磁场的B值。

磁场检测霍尔元件

TDK东电化HAL856磁场检测线性可编程霍尔元件

Diodes美台ZMT32磁场角度传感器

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霍尔效应传感器
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霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种。
中文名
霍尔效应传感器
原    理
霍尔效应
类    别
传感器
应用于
计量仪器
目录
1
简介
2
历史
3
工作原理
4
霍尔探头
霍尔效应传感器简介
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霍尔效应传感器也称霍尔传感器，是一个换能器，将变化的磁场转化为输出电压的变化。霍尔传感器首先是实用于测量磁场，此外还可测量产生和影响磁场的物理量，例如被用于接近开关、霍尔、位置测量、转速测量和电流测量设备。其最简单的形式是，传感器作为一个模拟换能器，直接返回一个电压。在已知磁场下，其距霍尔盘的距离可被设定。使用多组传感器，磁铁的相关位置可被推断出。通过导体的电流会产生一个随电流变化的磁场，并且霍尔效应传感器可以在不干扰电流情况下而测量电流，典型的构造为将其和绕组磁芯或在被测导体旁的永磁体合成一体。通常，霍尔效应传感器和电路相连，从而允许设备以数位（开/关）模式操作，在这种情况下可以被称为开关。工业中常见的设备，例如气缸，也被用于日常设备中，如一些打印机使用他们来监测缺纸和敞盖的情况。当键盘被要求高可靠性时，便也设计霍尔传感器在其按键内。霍尔效应传感器通常被用于计量车轮和轴的速度，例如在内燃机点火定时（正时）或转速表上。其在无刷直流电动机的使用，用来检测永磁铁的位置。轮子带有两个等距的磁铁，传感器上的电压在一个周期内将两次达到峰值，此设置通常被用来校准磁盘驱动的速率。
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霍尔效应传感器历史
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这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
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霍尔效应传感器工作原理
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图1 霍尔电压随磁场强度的变化而变化
霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。图1所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。
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霍尔效应传感器霍尔探头
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霍尔探头使用铟的化合物晶体，如娣化铟。晶体大小为5平方毫米左右，置于铝基上，通过封装成为探头。晶体平面垂直于探头底侧，底侧由非铁磁材料制成，以避免自身影响磁场。引线自晶体出发，穿过底侧，进入到电路模块。把探头置于磁场中，当电流流经晶体时，载流子受洛伦兹力作用出现偏转导致载流子在晶体上的分布不均匀，晶体两端的铝基上因此可以探测到霍尔电压。霍尔探头可以测量微弱的地球磁场。霍尔探测器首先需要根据已知磁场强度进行调校。然后，探头需要以适当方向放置以使地磁场磁流线直接穿过它。然后再以反方向放置，所读出的流密度是地球磁流密度的两倍。
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2021-07-230
参考资料
1.

陈非凡. 工程测试技术. 清华大学出版社. 2006
2.

张洪润，张亚凡. 传感技术与应用教程. 清华大学出版社. 2005