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霍尔传感器

华为霍尔传感器:mate20pro霍尔传感器遮挡直接熄屏

发布日期:2022-10-09 点击率:236


华为霍尔传感器:mate20pro霍尔传感器遮挡直接熄屏  第1张

华为霍尔传感器:mate20pro霍尔传感器遮挡直接熄屏

[华为Mate20系列]
mate20pro霍尔传感器遮挡直接熄屏

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4824

电梯直达

楼主
只看该作者

huafans
初窥门径

发表于 2021-11-11 22:18:03
来自:mobile

最新回复 4 天前

反馈一下,我的20pro光线传感器有bug,遮挡就会自动熄屏,但是没有锁机,打开设置没有开皮套模式,然后退出后自动恢复了。问问有没有类似情况的

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沙发
只看该作者

huafen
自成一派

发表于 2021-11-11 22:20:55
来自:mobile

有,早就反馈过了,209bug,等系统更新吧

点评

huafans

好的好的

发表于 2021-11-11 22:28

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板凳
只看该作者

huafen

花粉帮帮堂

发表于 2021-11-11 23:12:52
来自:浏览器

楼主您好,您是否有打开微信8.0.16后遮挡手机屏幕顶部黑屏还是其他场景黑屏现象。

点评

huafans

暂时没有

发表于 4 天前

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华为霍尔传感器:为什么很多手机都有霍尔传感器,但是官方就是不宣传呢?

霍尔传感器安装在手机上主要功能就是使用智能皮套(磁皮套),扣上皮套后屏幕就会在皮套上留出的小窗口中出现一个小窗口界面,用来接听来电或阅读短信。这功能在安卓手机上应该是较为普遍的,但是为何不见厂家一直宣传?
甚至官方客服自己也都不知道有这玩意儿...
宣传只需要告诉用户有:智能休眠就行 干嘛要专业名词
难不成介绍CPU要说:
配备基于Krait是异步对称多处理(aSMP)架构四核KRAIT 400并且制程技术进一步提升到28纳米HPm(High Performance for mobile,高性能移动计算)技术节点且每核钟频率拉升至2.3GHz,同时Adreno 330 GPU和LPDDR3内存模组的Snapdragon 800么。
因为啊我们都是很蠢的,高大上的霍尔效应传感器看不懂
你不说霍尔传感器,而说磁场传感器,没准客服就明白了。
另外你想知道这个传感器的位置是想干嘛呢?
因为担心又被媒体/微信黑成有辐射、对健康有害云云。
休眠皮套的原理就是屏幕左边放置个磁场传感器,前盖内置磁铁,后壳内置铁片屏蔽磁场,这样实现合盖休眠,开盖唤醒的功能。
磁场传感器用来实现这个功能是很愚蠢的设计,因为磁场传感器的主要作用是检测地磁场实现指南针功能。
华为霍尔传感器:mate20pro霍尔传感器遮挡直接熄屏  第2张

华为霍尔传感器:霍尔传感器

无刷电机采用锁存型霍尔传感器,一般要求霍尔标志面朝向转子永磁铁放置,这样当正对永磁体的S极时,其输出为逻辑0,当朝向N极时,其输出改变为逻辑1。
霍尔信号线颜色为:?红色(正)、黑色(负)、黄色(HA)、绿色(HB)、蓝色(HC)?计算霍尔值时,HA?HB?HC从高到低依次排列,HA在高位?HC在低位。
霍尔信号HA的上跳沿决定A相开始正向导通和C相正向导通的结束。
霍尔信号HA的下跳沿决定A相开始反向导通和C相反向导通的结束。?
A相正向导通的结束由霍尔信号HB的上跳沿决定。?A相反向导通的结束由霍尔信号HB的下跳沿决定?

华为霍尔传感器:霍尔传感器位移特性实验.doc

《霍尔传感器位移特性实验.doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《霍尔传感器位移特性实验.doc(9页珍藏版)》请在得力文库 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、,.实验14 直流激励时霍尔传感器位移特性实验 自动化 杨蕾生一、实验目的:了解直流激励时霍尔式传感器的特性。二、基本原理:根据霍尔效应,霍尔电势UHKHIB,当霍尔元件处在梯度磁场中运动时,它的电势会发生变化,利用这一性质可以进行位移测量。三、需用器件与单元:主机箱、霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、测微头、数显单元。四、实验步骤:1、霍尔传感器和测微头的安装、使用参阅实验九。按图14示意图接线(实验模板的输出Vo1接主机箱电压表Vin),将主机箱上的电压表量程(显示选择)开关打到2V档。2、检查接线无误后,开启电源,调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置,再调节Rw1使数显表

2、指示为零。3、以某个方向调节测微头2mm位移,记录电压表读数作为实验起始点;再反方向调节测微头每增加0.2mm记下一个读数,将读数填入表14。表14X(mm)V(mv)作出V-X曲线,计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。五、实验注意事项:1、对传感器要轻拿轻放,绝不可掉到地上。2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成15V,否则将可能烧毁霍尔元件。六、思考题:本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的是什么量的变化?答:本人认为应该是实际的输入、输出与拟合的理想的直线的偏离程度的变化,当X不同的时候,实际的输出值与根据拟合直线得到的数值的偏离值是不相同的。七、实验报告要求:1、整理实验数据,根据

3、所得得实验数据做出传感器的特性曲线。实验数据如下:表92X(mm)00.20.40.60.81.01.21.41.61.8V(mv)1.881.6791.4751.2731.0860.890.7110.5250.3390.16X(mm)2.02.22.42.62.83.03.23.43.63.8V(mv)-0.022-0.199-0.383-0.576-0.754-0.94-1.127-1.324-1.524-1.708V-X曲线如下:(1)由上图可知灵敏度为S=V/X=-0.9354V/mm(2)由上图可得非线性误差:当x=1mm时,Y=-0.+1.849=0.9136m=Y-0.

4、89=0.0236VyFS=1.88Vf=m/yFS100%=1.256%当x=3mm时:Y=-0.+1.849=-0.9572Vm=Y-(-0.94)=-0.0172VyFS=1.88Vf=m/yFS100%=0.915%2、归纳总结霍尔元件的误差主要有哪几种,各自的产生原因是什么,应怎样进行补偿。答:(1)零位误差。零位误差由不等位电势所造成,产生不等位电势的主要原因是:两个霍尔电极没有安装在同一等位面上;材料不均匀造成电阻分布不均匀;控制电极接触不良,造成电流分布不均匀。补偿方法是加一不等位电势补偿电路。(2)温度误差。因为半导体对温度很敏感,因而其霍尔系数、电阻率、霍尔电势的

5、输入、输出电阻等均随温度有明显的变化,导致了霍尔元件产生温度误差。补偿方法是采用恒流源供电和输入回路并联电阻。 实验15 交流激励时霍尔传感器位移特性实验一、实验目的:了解交流激励时霍尔式传感器的特性。二、基本原理:交流激励时霍尔式传感器与直流激励一样,基本工作原理相同,不同之处是测量电路。三、需用器件与单元:主机箱、霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、测微头、数显单元、移相器/相敏检波器/低通滤波器模板、双线示波器。四、实验步骤:1、传感器、测微头安装使用同实验九。实验模板接线见下图2、首先检查接线无误后,合上主机箱总电源开关,调节主机箱音频振动器的频率和幅度旋钮,用示波器、频率表监测Lv输出频

6、率为1KHz,幅值为4V的峰-峰值;关闭主机箱电源,再将Lv输出电压(1KHz、4V)作为传感器的激励电压接入图15的实验模板中。3、合上主机箱电源,调节测微头使霍尔传感器的霍尔片处于两磁钢中点,先用示波器观察使霍尔元件不等位电势为最小,然后从数显表上观察,调节电位器Rw1、Rw2使显示为零。4、调节测微头使霍尔传感器产生一个较大位移,利用示波器观察相敏检波器输出,旋转移相单元电位器Rw和相敏检波电位器Rw,使示波器显示全波整流波形,且数显表显示相对值。5、使数显表显示为零,然后转动测微头记下每转动0.2mm时表头读数,填入下表。表15交流激励时输出电压和位移数据X(mm)00.20.40.6

7、0.81.01.21.41.61.8V(mv)00.030.060.080.110.150.180.210.240.28X(mm)2.02.22.42.62.83.03.23.43.63.8V(mv)0.320.360.40.440.480.520.560.580.610.63X(mm)4.04.24.4V(mv)0.650.670.696、根据表15作出V-X曲线,计算不同量程时的非线性误差。(1)由上图可知灵敏度为S=V/X=0.173V/mm(2)由上图可得非线性误差:当x=1mm时,Y=0.1731-0.0179=0.151m=Y-0.15=0.001VyFS=0.36Vf=m/yFS

8、100%=0.278%当x=3mm时:Y=0.1733-0.0179=0.5011Vm=Y-0.52=-0.0189VyFS=0.36Vf=m/yFS100%=5.25%实验16 霍尔测速实验一、实验目的:了解霍尔转速传感器的应用。二、基本原理:利用霍尔效应表达式, UHKHIB,当被测圆盘上装上N只磁性体时,圆盘每转一周磁场就变化N次。每转一周霍尔电势就同频率相应变化,输出电势通过放大、整形和计数电路就可以测量被测旋转物的转速。三、需用器件与单元:主机箱、霍尔转速传感器、转动源。四、实验步骤: 1、根据图16将霍尔转速传感器安装于霍尔架上,传感器的端面对准转盘上的磁钢并调节升降杆使传感器端面

9、与磁钢之间的间隙大约23mm2、首先在接线以前,合上主机箱电源开关,将主机箱中的转速调节电源224V旋钮调到最小(逆时针方向转到底)后接入电压表(显示选择打到20V档)监测大约为1.25V;然后关闭主机箱电源,将霍尔转速传感器、转动电源按图16所示分别接到主机箱的相应电源和频率/转速表(转速档)的Fin上。3、合上主机箱电源开关,在小于12V范围内(电压表监测)调节主机箱的转速调节电源(调节电压改变电机电枢电压),观察电机转动及转速表的显示情况。4、从2V开始记录每增加1V相应电机转速的数据(待电机转速比较稳定读取数据);画出电机的VN(电机电枢电压与电机转速转速的关系)特性曲线。实验完毕,关

10、闭电源。V(V)N(rad/s)画出电机的VN特性曲线:五、思考题: 1、利用霍尔元件测转速,在测量上有否限制?答:利用霍尔元件测转速时,每当磁感应强度发生变化时霍尔元件就输出一个脉冲,如果转速过慢,磁感应强度发生变化的周期过长,大于读取脉冲信号的电路的工作周期,就会导致计数错误。2、本实验装置上用了6只磁钢,能否用一只磁钢?答:可以用一只磁钢, 只是用一只磁钢测量的灵敏度会降低。实验17 磁电式转速传感器测速实验一、实验目的:了解磁电式测量转速的原理。二、基本原理:基于磁电感应原理,N匝线圈所在磁场的磁通变化时,线圈中感应电势:发生变化,因此当转盘上嵌入N个磁棒时,每转一周线圈感应电势产生N次变化。通过放大、整形和计数电路就可以测量被测旋转物的转速。三、需用器件与单元:主机箱、磁电式转速传感器、转动源。四、实验步骤: 磁电式转速传感器测速实验除了传感器不用接电源外,其余完全与实验16相同;请按图17和实验16中的实验步骤做实验。实验完毕,关闭电源表17数据记录V(V)N(rad/s)

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