纵观目前低容量并行接口的非易失存储器市场，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占据了市场主流，其中EEPROM的供应厂家很多，其中以ATMEL，ST等厂家占主导地位，FRAM只有美国RAMTRON公司一技独秀，而采用SRAM+BAKBAT方式的厂家，目前DALLAS占据了大部分市场空间，国内也有几家公司提供类似产品，其中比较知名的如HK等。以上几种产品性能方面各有优缺，其中EEPROM的市场应用范围最为广泛，其缺点也是路人皆知，写入速度慢，至少 10ms的写等待时间，而且写操作次数有限制；FRAM铁电存储器的优点在于其操作速度很快，能够达到标准SRAM的速度，而且写操作次数特别高，最低能够实现100亿次的写操作，但其读写时序与标准SRAM有差别，目前还没有做到完全兼容；采用SRAM+后备电池是一种传统而古老的非易失存储方式，这种方式由于DALLSA的大力推广又获得了新生，此方式的优点在于芯片能够与标准的SRAM完全兼容，而且操作速度非常快，但是缺点也是非常明显的，芯片体积很大，占据太多的电路板空间，而且芯片内部的电池存在使用环境的限制，并且如果电池电量耗尽，那么所有的数据都将丢失。

　　德国ZMD公司研发了采用另外一种方式的非易失性存储器nvSRAM，它采用了全新的SRAM+EEPROM方式，实现无须后备电池的非易失性存储，芯片接口、时序等与标准SRAM完全兼容。这样就方便用户直接替换DALLAS、HK等公司的同类产品，或者可以方便地将原来电路中的SRAM换成ZMD公司的nvSRAM，而无须更改电路。

　　ZMD公司的nvSRAM有两种操作模式，SRAM模式与非易失性模式。

　　在SRAM模式中，存储器可以像普通的静态RAM一样操作，SRAM可以读写无限次，且读写访问时间小于25ns，所有的nvSRAM都是以字节方式组织的。

　　在非易失性模式中，数据从SRAM中保存进EEPROM中(STORE操作)，或者从EEPROM回读至SRAM中(RECALL操作)。STORE和RECALL可能会按下面的方式开始：

　　1、在系统上电或者下电时，自动开始STORE或者RECALL操作。

　　2、通过软件序列或者硬件信号，由用户控制开始STORE或者RECALL操作。

　　一旦STORE和RECALL周期开始后，SRAM的进一步输入输出便被禁止，直至周期结束，片上的STORE和RECALL控制单元控制数据在SRAM与EEPROM之间转移。

　　在任何时间，几毫秒之内SRAM中的数据就可以被存储于EEPROM中，数据可以写进EEPROM中至少10万次，从EEPROM中读出数据至SRAM中的次数是没有限制的，nvSRAM保证数据从上一次保存周期结束后可以至少保存45年以上，它保证在芯片调换时或者未来电压突然中断时，数据不会丢失。