Infineon 将最新的汽车 hex场 功率 mosfet 硅技术与先进 Advanced 直接封装平台结合起来，在一个只占用 so-8 和 0.7 毫米尺寸的封装内，可实现最低的导通电阻。该封装与电源应用、印刷电路板装配设备和汽相、红外或对流焊接技术等中使用的现有布局几何结构兼容。该封装允许双面冷却、以最大程度地提高电源系统中的热传递、从而将之前最佳的热阻提高 80% 。
特别适用于 cpu 内核直流 - 直流转换器
低传导和切换损耗
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 160 A |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | DirectFET MX |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 7 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0032 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
