the Infineon ex场 功率 mosfet 采用双 so-8 封装，利用最新工艺技术，可在每个硅片区域实现极低的接通电阻。这些 hex场 功率 mosfet 的其他特点包括 175°c 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些优势相结合、使此设计成为极其高效和可靠的设备、适用于各种其他应用。so-8 封装的额定温度为 175°c 、可提供更高的热性能和更安全的工作区域、双 mosfet 模具能力使其特别适用于各种电源应用。此双路表面安装 so-8 可显著减少板空间、还提供带装和卷装。
先进的工艺技术
双 N 沟道 MOSFET
超低接通电阻
175°C 工作温度
重复雪崩允许高达 Tjmax
无铅
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续漏极电流 | 5.1 A |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 封装类型 | SO-8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大漏源电阻值 | 65 个月 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
